Los pulsos láser podrían hacer la memoria de los ordenadores más de 1.000 veces más rápida

Investigadores de la Universidad de California en San Diego (UC San Diego) publicaron en la revista Nature Communications hallazgos que apuntan a un posible avance en la velocidad de almacenamiento de datos. Al moldear y reducir cuidadosamente el haz de un láser ultrarrápido, el equipo demostró que es posible conmutar los estados magnéticos que sustentan la forma en que los datos digitales se escriben en los dispositivos de almacenamiento. Esta técnica, conocida como conmutación óptica, podría funcionar más de 1.000 veces más rápido que el enfoque convencional que se usa hoy en los discos duros y otros sistemas de almacenamiento, el cual depende de campos magnéticos externos para invertir la orientación de minúsculas regiones magnéticas en un material de grabación.

El equipo de UC San Diego superó dos obstáculos de larga data que habían frenado este método. Experimentos anteriores solo habían tenido éxito con estructuras magnéticas de tres capas magnéticas o menos, y requerían luz con una polarización específica. Al diseñar la forma y el tamaño del haz, los investigadores demostraron la conmutación óptica en una estructura más gruesa —nueve capas alternas de platino y cobalto— sin necesidad de una polarización particular. Un haz más pequeño y conformado con mayor precisión también abre la puerta a un almacenamiento más denso, ya que puede actuar sobre regiones magnéticas más reducidas.

El autor principal, Abdoulaye Ndao, profesor del Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática, colaboró con Eric Fullerton, experto en materiales magnéticos de película fina, también de la UC San Diego. El primer autor, Muhammad Waleed Khalid, estudiante de doctorado, señaló que el equipo dedicó un esfuerzo considerable a verificar sus resultados poco habituales antes de que la comunidad científica en general los aceptara. Persisten desafíos: los láseres ultrarrápidos especializados que se emplean todavía no se integran fácilmente en los chips de ordenador. El equipo trabaja ahora en reducir aún más el haz —con el objetivo de llegar a unos pocos cientos de nanómetros— como paso hacia dispositivos de memoria prácticos de próxima generación.